MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢?

　　1、功率損耗的原理圖和實測圖





　　一般來說，MOS管開關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。





　　2、MOS管和PFCMOS管的測試區(qū)別





　　對于普通MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFCMOS管來說，不同周期的電壓和電流波形都不相同，因此功率損耗的準(zhǔn)確評估依賴較長時間(一般大于10ms)，較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲，此時需要的存儲深度推薦在10M以上，并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算，實測截圖如圖3所示。





　　3、MOS管和PFCMOS管的實測演示視頻





　　MOS管損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，通過示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對器件的功率損耗進(jìn)行評估，ZDS3000/4000系列示波器免費標(biāo)配電源分析軟件。