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  • 新一代存儲(chǔ)器材料新突破 光控多位元存儲(chǔ)器材料
    新一代存儲(chǔ)器材料新突破 光控多位元存儲(chǔ)器材料
  • 新一代存儲(chǔ)器材料新突破 光控多位元存儲(chǔ)器材料
  •   發(fā)布日期: 2019-05-23  瀏覽次數(shù): 1,479

    新一代存儲(chǔ)器材料又有新突破!臺(tái)成功大學(xué)物理系研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表存儲(chǔ)器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式,相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國際頂尖期刊「自然材料」(Nature Materials)。

    新一代存儲(chǔ)器材料新突破 光控多位元存儲(chǔ)器材料

     

    研究團(tuán)隊(duì)預(yù)期,應(yīng)用于人工智能發(fā)展與云端運(yùn)算,更可減少讀取資料的延遲時(shí)間,大幅加快演算速度,可望在未來微縮化多功能納米元件的趨勢中,帶來革命性的突破。

    根據(jù)研究資料,鐵酸鉍(BiFeO3)是在一個(gè)存儲(chǔ)單元中可同時(shí)具有高達(dá)8種邏輯狀態(tài)(0-7)的多位元存儲(chǔ)器材料,比起傳統(tǒng)只能存儲(chǔ)0與1的單位元存儲(chǔ)器,可大幅地提升儲(chǔ)存信息的密度。

    據(jù)悉,研究團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)新穎光學(xué)技術(shù),可進(jìn)行非接觸性的特性控制,應(yīng)用這類材料與相關(guān)光控技術(shù),現(xiàn)有存儲(chǔ)器體積可被大幅地縮小,耗能也將近一步降低。

    傳統(tǒng)硬盤與存儲(chǔ)器器基礎(chǔ)單位為0與1的組合,受此限制,基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元只能靠不斷縮小元件尺寸才能提高存儲(chǔ)器密度,在開發(fā)上始終會(huì)達(dá)到極限。

    成大團(tuán)隊(duì)教授陳宜君指出,以磁性金屬薄膜為主材料的傳統(tǒng)硬盤為例,只具有一個(gè)鐵磁有序性,用以紀(jì)錄0與1的信息。而多鐵性材料鐵酸鉍的存儲(chǔ)單元為材料內(nèi)自發(fā)的電偶極矩與電子自旋排列方向,存儲(chǔ)單元理論上可達(dá)次納米尺度,且可在同一點(diǎn)存在多個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài),即同時(shí)包含電、磁與反鐵磁有序,組合上可一次紀(jì)錄8組信息于單個(gè)儲(chǔ)存單元中。

    她指出,相較于現(xiàn)今商用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器仍有斷電長時(shí)間后會(huì)損失資料的問題,多鐵性材料的存儲(chǔ)狀態(tài)更加穩(wěn)定。

    成大研究團(tuán)隊(duì)這次研究最重要的突破,在于賦予該材料全光控的優(yōu)勢,由于光是交變的電磁波,因此在傳統(tǒng)經(jīng)驗(yàn)中,光無法對(duì)材料產(chǎn)生多組態(tài)的存儲(chǔ)調(diào)變。

    研究團(tuán)隊(duì)助理教授楊展其也表示,團(tuán)隊(duì)所提出的關(guān)鍵光控技術(shù),可利用光照產(chǎn)生的局部形變進(jìn)而控制鐵酸鉍中的多位元存儲(chǔ)組態(tài)。利用光學(xué)寫入技術(shù)的存儲(chǔ)器不需任何借助任何金屬電極與復(fù)雜的元件制程,充分體現(xiàn)“材料即元件”的構(gòu)想,不只提升了信息存儲(chǔ)效益,也為新一代存儲(chǔ)器開發(fā)帶來全新的思考方式,使該材料可被直接導(dǎo)入如量子儲(chǔ)存,量子通訊等結(jié)合尖端光學(xué)技術(shù)的跨領(lǐng)域科技。


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