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  • 三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法
    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法
  • 三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法
  •   發(fā)布日期: 2020-04-06  瀏覽次數(shù): 1,692

          摘要

    隨著新型處理器的執(zhí)行效率飛速提高,其對(duì)計(jì)算能力的 追求有時(shí)超過了冷卻系統(tǒng)的能力。而且,機(jī)械和散熱設(shè) 計(jì)通常是最后完成的研發(fā)步驟。因此,在設(shè)計(jì)的過程中可能在最后階段才發(fā)現(xiàn)超過了散熱系統(tǒng)的限制。設(shè)計(jì)師 通常需優(yōu)化系統(tǒng)并找到可接受的折中方案。

     

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    Teledyne e2v作為高可靠性微處理器的領(lǐng)導(dǎo)者,多年來 一直致力于提高超越標(biāo)準(zhǔn)性能指標(biāo)的定制處理器的核心競(jìng)爭(zhēng)力,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠增加系統(tǒng)安全的余量,并優(yōu) 化SWaP (尺寸,重量和功耗)。

    本文將介紹Teledyne e2v為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供的定制方 案,以調(diào)整高可靠性處理器系統(tǒng)的功耗。

    在大多數(shù)情況下,選擇一種或多種定制的方案可大大提 高設(shè)計(jì)的價(jià)值。這里將討論以下三種方案:

    1. 優(yōu)化功耗。包括根據(jù)客戶的應(yīng)用需求選擇合適的處理 器,并優(yōu)先選擇低功耗的器件。

    2. 優(yōu)化封裝的熱阻。在大多數(shù)情況下也可以保護(hù)電路和 裸片。

    3. 提高最大節(jié)溫(TJ)。這需要額外測(cè)試器件在高溫下的工 作情況和使用壽命。重點(diǎn)是如何量化這些測(cè)試,因?yàn)樯?高的溫度會(huì)影響器件的失效率。

    Teledyne e2v的高可靠性微處理器在國(guó)防、宇航等 高可靠性領(lǐng)域已服務(wù)了幾十年的時(shí)間。今天,現(xiàn)代處 理器的發(fā)展主要依靠諸如無人駕駛等未來的新市場(chǎng)推 動(dòng)。因此,像NXP這樣的大供應(yīng)商對(duì)高可靠性產(chǎn)品的 供應(yīng)鏈有深遠(yuǎn)的影響。許多應(yīng)用對(duì)這些產(chǎn)品并沒有很 嚴(yán)格的可靠性要求。

    同時(shí),SWaP(尺寸,重量和功耗)對(duì)于航空、國(guó)防甚至 宇航等嚴(yán)苛環(huán)境的應(yīng)用非常重要。本文將重點(diǎn)介紹如何 選擇用于這些應(yīng)用的處理器。畢竟,處理器是系統(tǒng)中的 重要器件,會(huì)產(chǎn)生系統(tǒng)中大部分的功耗(SWaP中的 P)。另外,散熱系統(tǒng)需要使用散熱器,影響系統(tǒng)的尺 寸和重量(SWaP中的S和W)。

    處理器功耗的背景知識(shí)

    每一代處理器的功耗需求都在逐步增加。研究特定器 件的電參數(shù)是一件復(fù)雜的工作,尤其對(duì)于準(zhǔn)備解決系統(tǒng) 級(jí)設(shè)計(jì)問題的設(shè)計(jì)師。

    表1是從四核ARM Cortex A72 64位Layerscape處理器 LS1046的數(shù)據(jù)手冊(cè)里摘錄的,包含2種處理器時(shí)鐘頻率 (1.6和1.8GHz)和3種節(jié)溫(標(biāo)稱值65, 85和105℃) 時(shí)的功耗。另外,圖中還標(biāo)出了三種不同的功耗模式: 典型、散熱和最大??梢钥闯觯诓煌墓ぷ鳝h(huán)境,器 件的功耗可能會(huì)相差一倍。這說明散熱管理是處理器的 重要設(shè)計(jì)指標(biāo)。

    通常情況下,廠商制定的器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格會(huì)包含一些余量,以兼容不同批次的差異。例如,如果某個(gè)客戶的應(yīng) 用必須用到最高的節(jié)溫,看了表1他可能會(huì)得出這款處 理器雖然功能強(qiáng)大但功耗太大的結(jié)論,從而不選用這款 器件。實(shí)際上,我們后面會(huì)看到,采取一些措施可以減 少器件的功耗至理想的范圍。

    表 1: NXP LS1046 處理器的功耗

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    三種解決方法

    方法1: 優(yōu)化功耗

    這包括評(píng)估一系列目標(biāo)器件,并對(duì)它們做相關(guān)測(cè)試, 分析功耗的分布。最終的目的是為某一個(gè)特定的應(yīng)用篩 選出功耗最佳的器件。

    如果器件的使用情況被明確定義,功率篩選可以使處 理器滿足其使用的要求。但是,這需要非常精確地了解 器件如何在特定的應(yīng)用中工作。對(duì)此,并沒有快速的解 決方案,人們只能使用功率篩選得出盡可能詳細(xì)的分析 結(jié)果。在某個(gè)特定的項(xiàng)目中,Teledyne e2v通過結(jié)合客 戶應(yīng)用的要求和功耗篩選,成功將圖1中器件在最壞情 況下的功耗降低了46%。

    這樣,起初由于功耗太大而被認(rèn)為不適合這個(gè)任務(wù)的器 件,現(xiàn)在可以被用戶充滿信心地設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中。

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    圖1: T1042處理器最壞情況下的功耗 vs.客戶 目標(biāo)應(yīng)用中的功耗

    這并不是一件容易實(shí)現(xiàn)的事情。我們需要了解處理器 的功耗包含下面兩個(gè)要素:

    • 靜態(tài)功耗——IC的所有內(nèi)部外設(shè)所需的功耗,與器件性 能和運(yùn)行的代碼無關(guān)。

    • 動(dòng)態(tài)功耗——計(jì)算能力所需的功耗。對(duì)于多核處理器, 對(duì)于不同的瞬時(shí)計(jì)算負(fù)載,這個(gè)功耗可能有很大差異。

    Teledyne e2v對(duì)功耗的獨(dú)特見解

    經(jīng)過和NXP(之前是Freescale)幾十年的合作,Teledyne e2v建立了高性能處理器的專業(yè)知識(shí)體系,并可獲得和原 始制造商相同的工具、產(chǎn)品測(cè)試向量和測(cè)試程序。這使 得Teledyne e2v可通過篩選和測(cè)試的方式提供定制的功 耗優(yōu)化方案。 Teledyne e2v對(duì)處理器參數(shù)測(cè)試表明當(dāng)代處理器有以 下幾點(diǎn)常見特性:

    • 不同的器件的靜態(tài)功耗差異顯著。

    • 在低溫環(huán)境靜態(tài)功耗可能接近0,但在125℃時(shí)可能占總 功耗的40%甚至更多(參見圖2)。

    • 動(dòng)態(tài)功耗由用戶的使用情況決定。不同器件、不同溫 度和不同的批次對(duì)其影響不大。

    處理器功耗和環(huán)境溫度的關(guān)系

    圖2表示對(duì)于一款真實(shí)的處理器節(jié)溫和靜態(tài)功耗的典型 關(guān)系曲線。隨著節(jié)溫(Tj)的升高,功耗非線性增加。 在這個(gè)例子里,隨著溫度從45℃上升到125℃(標(biāo)稱最 大值),靜態(tài)功耗增加了3倍,從4W升高到14W。因此, 降低功耗的方法之一是通過加強(qiáng)的散熱系統(tǒng)降低節(jié)溫。

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    圖2: 靜態(tài)功耗和節(jié)溫的典型關(guān)系

    這個(gè)曲線也表明,無法同時(shí)改善處理器SWaP的所有 要素。如果想優(yōu)化功耗,則必須降低節(jié)溫,而使用散 熱器,則會(huì)增加設(shè)備的尺寸和重量。

    因此,雖然SWaP是一個(gè)核心的設(shè)計(jì)要素,但通常需要 作出下面的妥協(xié):

    • 降低功耗 • 或減少散熱系統(tǒng)以減少尺寸和重量

    Teledyne e2v可提供優(yōu)化功耗的處理器器件

    Teledyne e2v從NXP獲取原始測(cè)試向量、等效測(cè)試工具 和測(cè)試技術(shù),并研發(fā)新的處理器性能優(yōu)化技術(shù),以提供 定制功耗的產(chǎn)品。另外,Teledyne e2v可對(duì)特定的用戶 應(yīng)用做深入的功耗分析,找出特別的動(dòng)態(tài)功耗需求。

    成果:降低功耗

    圖1中可以看出T1042四核處理器的功耗情況。商業(yè)器件 的規(guī)格書表明在最壞情況下器件的功耗高達(dá)8.3W(1.2GHz 時(shí)鐘,Tj是125℃)。但是,用戶可以降低功耗至4.5W。 如果不是因?yàn)楣牡慕档?,客戶可能從一開始就不會(huì)選 用T1042。

    基于加強(qiáng)的器件測(cè)試和對(duì)用戶實(shí)際應(yīng)用的分 析,Teledyne e2v保證特定器件的功耗大約是原始器件 預(yù)期功耗的一半。這可幫助降低功耗并簡(jiǎn)化項(xiàng)目的散熱設(shè)計(jì)。

    方法2: 定制封裝 包括修改或重新設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)器件的封裝,以減小節(jié)到板子的熱阻,或節(jié)到封裝頂部的熱阻:

    • 可降低節(jié)溫,從而降低功耗(假設(shè)使用相同的散熱器)。在另一方面,也可以減少冷卻系統(tǒng)的尺寸和 重量,因?yàn)闊嶙瑁≧th)越小,所需散熱器越大。

    •可加強(qiáng)器件的震動(dòng)防護(hù),并簡(jiǎn)化冷卻系統(tǒng)和處理器的 傳熱接口。

    •選擇使用或不使用封裝蓋,以進(jìn)一步改善散熱性能

    大多數(shù)處理器都有封裝蓋,用于散熱和保護(hù)器件裸片。 取決于不同的應(yīng)用,有些設(shè)計(jì)師可能會(huì)選擇有封裝蓋的 設(shè)計(jì),從而更容易地集成散熱器;而另一些設(shè)計(jì)師則選 擇無封裝蓋的設(shè)計(jì),因?yàn)樗麄儫o法接受封裝蓋帶來的額 外的熱阻。在另一方面,封裝蓋會(huì)顯著降低節(jié)到板子的 熱阻,對(duì)于主要依靠印制電路板PCB)散熱的應(yīng)用非常 有利。

    如圖3,有些器件是帶有封裝蓋的(如LS1046),有些器 件則不帶封裝蓋(如T1040)。對(duì)此,通常設(shè)計(jì)師無法選 擇,因?yàn)檫@是商用貨架產(chǎn)品(COTS)。而Teledyne e2v可 根據(jù)用戶的需求,幫助用戶增加或移除封裝蓋。

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    圖3: LS1046有蓋設(shè)計(jì)(上)和T1040無蓋設(shè)計(jì)(下)

    Teledyne e2v可提供定制的封裝

    Teledyne e2v擁有重封裝半導(dǎo)體器件的專業(yè)知識(shí)和豐 富的經(jīng)驗(yàn)。這不僅僅包括特定封裝的開發(fā),例如專門為 Teledyne e2v的EV12AQ600模數(shù)轉(zhuǎn)換器開發(fā)的封 裝,此外,Teledyne e2v還可幫助客戶對(duì)封裝重新植 球,改變焊接流程,以滿足一些宇航客戶的特定需求 (如采用不含錫鉛合金的材料以防止在宇航應(yīng)用中出現(xiàn) 錫須)。

    成果: 定制的封裝

    最近Teledyne e2v做了一項(xiàng)為NXP T1040處理器加上 封裝蓋的可行性研究??蛇x的封裝蓋的機(jī)械尺寸如圖 4。Teledyne e2v也估算了散熱指標(biāo)的變化。由于增加 了封裝蓋,節(jié)到板的熱阻大約是4.66℃/W的一半,比標(biāo) 準(zhǔn)封裝下降了9℃/W。而節(jié)到頂部的熱阻卻從少于 0.1℃/W增加到0.85℃/W。

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    圖4: T1040可選的封裝蓋

    關(guān)于改進(jìn)封裝的進(jìn)一步思考

    理想的散熱設(shè)計(jì)是不使用散熱器,所有的熱量都通過 PCB傳導(dǎo)。雖然這聽起來有些不現(xiàn)實(shí),但在某些應(yīng)用中 確實(shí)是值得考慮的方案??紤]到多層PCB的熱阻較低, 通過改進(jìn)封裝,降低節(jié)到PCB板的熱阻,可使相當(dāng)部分 的熱量通過PCB傳導(dǎo),減小散熱器的設(shè)計(jì)壓力,并減少 使用相同散熱器的設(shè)計(jì)的功耗(通過降低節(jié)溫)。一個(gè) 典型的例子是Teledyne e2v的PC8548(陶封基板)。 它等效于NXP的MPC8548(塑封基板)。雖然它們?cè)?尺寸上類似,在熱性能方面卻有顯著的區(qū)別。由于 PC8548使用了陶瓷基板,節(jié)到板的熱阻(3℃/W)比 塑封版本的熱阻(5℃/W)降低了60%。

    雖然上述的兩個(gè)例子都是關(guān)于降低節(jié)到板的熱阻,相 似的方法也可被用于降低節(jié)到封裝頂部的熱阻。

    方法3: 擴(kuò)展的節(jié)溫(即大于125℃)

    這個(gè)優(yōu)化方法考慮到硅片在超過傳統(tǒng)商業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)器件的 溫度范圍時(shí)正常工作的可行性。實(shí)際上,硅片并不僅僅 能工作在125℃,也可用于較高溫度的應(yīng)用。較高的工 作節(jié)溫可為應(yīng)用提供較大的余量。但是,正如前面介紹 的,較高的溫度會(huì)顯著提高功耗(參考圖2)。高節(jié)溫 適合用于允許短時(shí)間動(dòng)態(tài)功耗迅速爆發(fā)的應(yīng)用。用戶需 注意這種爆發(fā)需滿足系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)的要求。

    Teledyne e2v可提供擴(kuò)展溫度的器件

    Teledyne e2v擁有專業(yè)的產(chǎn)品知識(shí)和測(cè)試經(jīng)驗(yàn),結(jié)合不 同的產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),可與客戶深入討論擴(kuò)展溫度范圍對(duì) 器件工作壽命的影響。Teledyne e2v已經(jīng)可以提供高達(dá) 125℃的NXP處理器——超過了商業(yè)器件105℃的限制。

    成果: 擴(kuò)展的溫度范圍

    經(jīng)過可行性評(píng)估,Teledyne e2v可提供較高工作節(jié)溫 的定制IC的產(chǎn)品規(guī)格。制定產(chǎn)品規(guī)格時(shí)需仔細(xì)考慮如下 的四個(gè)問題:

    擴(kuò)展節(jié)溫工作的四個(gè)問題:

    為了提高工作節(jié)溫,需評(píng)估以下四個(gè)問題:

    • 性能:在較高的溫度下,處理器可能無法滿足某些電特 性需求。Teledyne e2v的測(cè)試表明可能需要降低最高 時(shí)鐘頻率以滿足手冊(cè)上指標(biāo)(參考圖5)。因此,如果需 器件在擴(kuò)展溫度范圍正常工作,可能需降低某些規(guī)格參 數(shù)。

    • 可靠性:隨著溫度升高,硅器件的可靠性以非線性的方 式急速下降,可參考阿列紐斯等式。圖6表示NXP處理器 在高達(dá)105℃范圍內(nèi)的典型FIT(失效率)。將曲線延伸到 150℃,器件的可靠性與105℃時(shí)相比降低了10倍。目標(biāo) 應(yīng)用必須能允許上述可靠性的下降。

    • 功耗:如圖2所示,功耗隨著溫度上升迅速增加,這意味著在擴(kuò)展溫度范圍工作需承受更高的功耗。

    • 需驗(yàn)證封裝承受高溫的能力。特別是塑封環(huán)氧樹脂封 裝,在大約160℃時(shí)開始惡化??煽紤]使用高溫環(huán)氧樹脂 重新封裝的方案。

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    圖 5: 高溫(》100℃)時(shí)1.8GHz時(shí)鐘頻率限制的例子

    考慮以上四個(gè)問題,可幫助判斷是否需擴(kuò)展特定應(yīng)用的 器件的高溫限制、調(diào)整電氣參數(shù)或更換封裝材料。 Teledyne e2v提供的定制服務(wù)依賴于客戶對(duì)其任務(wù)的 理解和工作壽命的分析,包括擴(kuò)展溫度條件會(huì)持續(xù)多 久,高溫條件是瞬時(shí)還是穩(wěn)定的狀態(tài)等。無論是哪個(gè)方 面,Teledyne e2v都可以提供專業(yè)的建議。

    三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法

    圖 6: 溫度延展到150℃時(shí)的典型失效率

    三種調(diào)整處理器功耗的方法

    本文討論了Teledyne e2v如何基于和NXP的長(zhǎng)期戰(zhàn)略 合作提供定制處理器的服務(wù)。這種定制化可基于Power 架構(gòu)(例如T系列處理器T1042)或ARM架構(gòu)(例如 Layerscape LS1046)。這里列出了三種為惡劣環(huán)境 的應(yīng)用優(yōu)化功耗并定制處理器的方案:

    • 優(yōu)化特定功耗的功耗篩選

    • 增強(qiáng)散熱能力的定制化封裝

    •提高允許的最高節(jié)溫(Tj)以支持大動(dòng)態(tài)功耗需求

    Teledyne e2v擁有獨(dú)立的測(cè)試、質(zhì)量管理體系和專業(yè)的 產(chǎn)品工程師,結(jié)合和NXP長(zhǎng)期的合作關(guān)系,可為特定復(fù) 雜應(yīng)用的客戶提供專業(yè)、高可靠性的處理器功率優(yōu)化方 案。

    如果您依然不確定這種定制的處理器方案是否是較好的 選擇,我們建議您聯(lián)系Teledyne e2v,和我們探討您的 需求和遇到的挑戰(zhàn)。您一定會(huì)對(duì)這種定制化方案帶來的 價(jià)值驚訝不已。


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