全面的寬禁帶器件組合實(shí)現(xiàn)高性能充電方案

　　2021年6月8日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），發(fā)布一對(duì)1200 V完整的碳化硅 （SiC） MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動(dòng)車 （EV） 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。

　　隨著電動(dòng)車銷售不斷增長(zhǎng)，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。

　　新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓，易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。

　　NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構(gòu)，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇，且嵌入的一個(gè)負(fù)溫系數(shù) （NTC） 熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測(cè)。

　　新的SiC MOSFET模塊是安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，被設(shè)計(jì)為與NCD5700x器件等驅(qū)動(dòng)器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

　　NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺(tái)電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因?yàn)榈湫蛡鞑パ舆t為60 ns。

　　安森美半導(dǎo)體的 SiC MOSFET與新的模塊和門極驅(qū)動(dòng)器相輔相成，比類似的硅器件提供更勝一籌的開關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 （EMI） 得以改善，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。

　　最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，使（RDS（on）*area） 的品質(zhì)因數(shù) （FoM） 達(dá)到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場(chǎng)上采用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS（on） 的MOSFET。

　　1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動(dòng)車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。

　　在 APEC 2021 期間，安森美半導(dǎo)體將展示用于工業(yè)應(yīng)用的 SiC方案，并在展商研討會(huì)上介紹電動(dòng)車非車載充電方案。