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    碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)
  • 碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)
  •   發(fā)布日期: 2021-08-20  瀏覽次數(shù): 1,227

    當(dāng)下,隨著USB-PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟,大功率快充電源市場(chǎng)逐漸興起,碳化硅二極管也開(kāi)始在消費(fèi)類電源市場(chǎng)中嶄露頭角,被部分100W大功率氮化鎵快充產(chǎn)品選用。

    碳化硅(SiC)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,與硅(Si)相比,碳化硅的介電擊穿強(qiáng)度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導(dǎo)率更高。因此,當(dāng)其用于半導(dǎo)體器件中時(shí),碳化硅器件擁有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電壓、高效率等特性,有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。從這些優(yōu)勢(shì)看來(lái),碳化硅對(duì)于USB-PD快充這類應(yīng)用,是一個(gè)極佳的選擇。

     

    重點(diǎn)提示 下方有關(guān)鍵信息

    知識(shí)點(diǎn) 1

    # 碳化硅器件在USB-PD快充的應(yīng)用

    為了增加大功率電源產(chǎn)品的功率因數(shù),減小諧波對(duì)電網(wǎng)的干擾和污染,3C認(rèn)證(中國(guó)國(guó)家強(qiáng)制性產(chǎn)品認(rèn)證)中要求,75W以上的快充電源需要配備主動(dòng)式PFC電路。一個(gè)常用的主動(dòng)式PFC電路如圖1所示,其中功率器件選擇SiC二極管搭配氮化鎵開(kāi)關(guān)管,可以將PFC級(jí)的工作頻率從不足100KHz提升到300KHz,由此減小升壓電感體積,實(shí)現(xiàn)高功率密度的設(shè)計(jì),同時(shí)產(chǎn)品的效率也達(dá)到了大幅提升,成為大功率電源產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力。因此,碳化硅在快充應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)注度越來(lái)越高。

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    知識(shí)點(diǎn) 2

    # 碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)

    與傳統(tǒng)硅基二極管相比,SiC二極管主要有以下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì):

    SiC二極管反向恢復(fù)電流幾乎為零(如圖2所示)。

    與Si二極管相比,提升效率,減少發(fā)熱。

    配合高頻開(kāi)關(guān)器件使用,可大幅提高開(kāi)關(guān)頻率,縮小充電器體積。

    更小的反向恢復(fù)電流帶來(lái)更好的EMI結(jié)果,有助于實(shí)現(xiàn)GB/IEC標(biāo)準(zhǔn)中Class B的要求。

    SiC材料擁有更好的導(dǎo)熱效果,有利于降低結(jié)溫。

    在瑞能120W快充展示板上,比較DPAK封裝的SiC和Si二極管得到以下效率及溫度數(shù)據(jù)。

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    圖3 120W快充電源效率對(duì)比

    知識(shí)點(diǎn) 3

    # 瑞能現(xiàn)有的表貼封裝碳化硅二極管

    瑞能目前提供DPAK和DFN8x8兩個(gè)系列的表貼(SMD)封裝SiC二極管,額定電壓為650V, 額定電流為4-10A。

    瑞能SMD封裝的尺寸以及熱阻參數(shù)如圖5中所示,優(yōu)勢(shì)主要有以下幾點(diǎn):

    銀燒結(jié)芯片焊接工藝,行業(yè)內(nèi)極低熱阻,低熱阻值帶來(lái)更好的散熱和更低的結(jié)溫。

    DFN 8x8 封裝無(wú)引腳設(shè)計(jì),降低雜散電感,使器件可以應(yīng)用于更高頻率。

    超薄厚度,DFN 封裝厚度《1mm, 適于PD快充緊湊設(shè)計(jì)。

    知識(shí)點(diǎn) 4

    # 瑞能120W快充展示板

    利用碳化硅二極管WNSC2D06650D配合氮化鎵開(kāi)關(guān)管設(shè)計(jì)了以下120W快充展示板。

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    120W快充展示板參數(shù)

    120W快充展示板的效率數(shù)據(jù), 在230V輸入情況下最高效率可達(dá)94.5%. 115V AC輸入情況下最高效率接近93.5%。

    顯而易見(jiàn),圖10為展示板在220V輸入情況下的的傳導(dǎo)EMI數(shù)據(jù),滿足GB 4824-2019 Class B標(biāo)準(zhǔn),準(zhǔn)峰值(Quasi-peak)和平均值(Average)均有10dB以上設(shè)計(jì)余量。

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    傳導(dǎo)EMI準(zhǔn)峰值和平均值數(shù)據(jù)

    # 資訊延展

    目前,碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)在電動(dòng)汽車、逆變器、軌道交通、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電等不同的場(chǎng)景和賽道上,得到了廣泛應(yīng)用。

    根據(jù)權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Omdia最新的報(bào)告顯示,瑞能半導(dǎo)體是碳化硅整流器目前市場(chǎng)占有率國(guó)內(nèi)排名第一的廠商。持續(xù)研發(fā),夯實(shí)綜合實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力,瑞能半導(dǎo)體會(huì)繼續(xù)成為卓越的功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,為客戶提供各種高度可靠、高性價(jià)比和勇于創(chuàng)新的功率半導(dǎo)體器件,讓客戶在具體應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳效率。


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