? ? ?MOS管最重要的參數(shù)莫過于電流和電壓了，決定電流主要來自封裝和芯片內(nèi)阻Rds(on).下面從其中一個方面分析一下。

? ? ? MOSFET的最大載流能力受到2方面限制： 一方面是管芯限制，即silicon limit。由于通態(tài)電阻Rds(on)以及米勒電容引起的導通損耗和開關損耗，會帶來功率損耗power loss，這些損耗就以大量發(fā)熱的形式來釋放，如果熱量過高就會燒毀管芯。一般MOSFET的最高耐受結(jié)溫視各廠家工藝的差異為155°C或者175°C。 另一方面就是封裝限制，即package limit。我們知道封裝承載著PCB與管芯的連接，那么在管芯的載流能力高到一定程度的時候就會受到封裝中引線的限制——細細的銅絲在通過大電流時一樣會發(fā)熱，熔毀。不同的封裝，package limit各不相同，甚至由于內(nèi)連接技術的改進，package limit也會有所改進和優(yōu)化。早先的封裝中，管芯的各引腳均用細細的銅絲或者金絲引向封裝的引腳，這種內(nèi)連接工藝被成為wire-bone引線鍵合，因此package limit通常只有最高25A左右，不過所幸早年時MOSFET管芯的載流能力通常也不高。近十來年MOSFET技術飛速發(fā)展，Rds(on)已經(jīng)突破mΩ極限，這些高性能MOSFET通常都使用DFN或者LFPAK來封裝，通過廠家設計更大的clip-bond夾橋式內(nèi)連接工藝，使得MOSFET的package limit均提高到了100A。 當然，廠家標的silicon limit通常都是理論數(shù)值，大的驚人，某些MOSFET會標到200多A，而受到熱降額的影響通常頂級MOSFET的實用最大載流能力是遠達不到package limit的。表現(xiàn)在廠家標識的Id-Tc降額曲線上，從坐標原點0°C/0A開始到遠端，它是一條下降的曲線，然后在某電流值處畫有一條平行于x軸（結(jié)溫軸）虛線截斷至y軸（電流軸），這就是package limit。如果這個廠家還算負責的話一般都會標出來，比如歐美系、日系的大廠一般都會標出來。 選型的時候要特別留意熱降額參數(shù)，通常廠家會在pdf上標一個參考值，即Id=xx A(Ta=25°C，Vgs=xx V，f=xxx kHz，2oz的FR4板靜風或者一定cfm風量配置xx cm2面積的散熱片等)。注意Ta和Tc的不同，Ta是環(huán)境溫度，Tc是結(jié)溫，受到封裝熱阻的影響，靜風測試條件下Tc=155°C或175°C是很容易達到的，pdf中標的Tc=100°C條件根本不值一提。 選型完畢最好自己建立一個熱環(huán)境模型進行測試，以確定該MOSFET是否滿足安全使用的要求。??