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MOS管
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  • 功率半導(dǎo)體引線鍵合方法
    功率半導(dǎo)體引線鍵合方法
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  •   發(fā)布日期: 2021-11-02  瀏覽次數(shù): 2,303

    ? ? ? ? 對(duì)于需要通過(guò)大電流的功率器件半導(dǎo)體,通常使用粗鋁線楔形鍵合連接其電極和外部端子。該方法的特征在于,不形成焊球,直接將引線以楔形方式(或針腳鍵合)做二次鍵合,其程序如圖4.3所示。將導(dǎo)線楔合到半導(dǎo)體上的焊盤上(第一鍵合點(diǎn)),在走線的同時(shí)形成線弧,并在外部端子側(cè)的電極(例如基板)上進(jìn)行第二鍵合點(diǎn)的鍵合,然后使用切割工具切斷引線以完成整個(gè)鍵合過(guò)程,焊接參數(shù)包括超聲波輸出功率和壓力、超聲作用時(shí)間和頻率等。在鍵合時(shí),通過(guò)毛細(xì)管劈刀施加壓力以使引線和電極變形,再加上超聲振動(dòng),完成電線和電極的固相鍵合。
    在楔形鍵合中,引線的鍵合方向與超聲波的方向平行,以便在不使用焊球的情況下,增加鍵合面積并確保鍵合強(qiáng)度。與球形鍵合需要加熱不同的是,楔形鍵合一般在室溫下進(jìn)行,這是由于線材的差別,用于楔形鍵合的鋁在常溫下也比較容易鍵合。

     

    引線鍵合技術(shù)的分類
    楔形健合 球形鍵合 $31
    引線材料 鋁 金 銅 覆鈀銅
    引線直徑/μm 20~500 18~50 25~200 15-50
    主要用途 功率半導(dǎo)體,
    分立IC LSI高密度封裝 后i
    分立半導(dǎo)體 ISI半導(dǎo)體 LSI半導(dǎo)體,
    就線徑來(lái)說(shuō),功率器件應(yīng)用需要大電流,因此使用線徑為50~500μm的粗線。ISI半導(dǎo)體通常則使用線徑為20~35μm的細(xì)線。此外,在最新移動(dòng)設(shè)備的LSI半導(dǎo)體中,高密度封裝迅速發(fā)展,越來(lái)越多地使用直徑13~18μm的超細(xì)線。人們根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)、應(yīng)用和所需的性能等選擇適當(dāng)?shù)逆I合線的形式、材料和尺寸。


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