? M5573A 是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM 控制芯片，具備低待機(jī)功 耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)。
? 正常工作下，PWM 開(kāi)關(guān)頻率處于合理的范圍內(nèi)。在空載或輕載條件下，IC 就會(huì)工作在“跳周期模式” 來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率的實(shí)現(xiàn)。
? M5573A 提供全面的保護(hù)，包括自動(dòng)恢復(fù)保護(hù)，逐周期電流限制（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP）、VDD 的欠壓鎖定（UVLO）、過(guò)溫保護(hù)（OTP），和過(guò)電壓（固定或可調(diào)的）保護(hù)（OVP）。
? M5573A 頻率抖動(dòng)能實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的 EMI 性能。
? M5573A 在工作中消除了低于 20kHz 音頻噪聲的消除。
? M5573A 采用SOT-23-6 封裝。

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 典型應(yīng)用圖

特征
? 軟啟動(dòng)功能，減少應(yīng)力功率 MOSFET VDS
? 降低EMI頻率抖動(dòng)功能
? 跳周期模式控制的改進(jìn)，提高效率降低待機(jī)功耗
? 最小功率的備用電源設(shè)計(jì)
? 消除音頻噪聲
? 65khz的開(kāi)關(guān)頻率
? 綜合保護(hù)性能
? 帶遲滯功能的VDD 欠壓保護(hù)
? 逐周的過(guò)流閾值設(shè)置，在全電壓范圍內(nèi)恒定輸出功率 ? 過(guò)載保護(hù)（OLP）與自動(dòng)恢復(fù)
? 自動(dòng)恢復(fù)的過(guò)溫保護(hù)（OTP）
? 自動(dòng)恢復(fù)的VDD 過(guò)壓保護(hù)（OVP）

? 可通過(guò)外部齊納二極管過(guò)壓保護(hù)可調(diào)節(jié)的 OVP

適用于 AC/DC反激式變換器
? 手機(jī)充電器, 上網(wǎng)本充電器 ? 筆記本適配器
? 機(jī)頂盒電源
? 各種開(kāi)放式開(kāi)關(guān)電源

M5573A 是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM 控制芯片，具備低待機(jī)功耗和 低成本的優(yōu)點(diǎn)，擴(kuò)展模式大大降低了待機(jī)功耗，方案設(shè)計(jì)適應(yīng)國(guó)際節(jié)能的要求。

? 啟動(dòng)電流和啟動(dòng)控制
M5573A 啟動(dòng)電流非常低，便于獲取高于VDD 的 UVLO 值并迅速啟動(dòng)。因此，高阻值啟動(dòng)電阻可減少功 率損耗，并能在應(yīng)用中穩(wěn)定可靠的啟動(dòng)。
? 工作電流
M5573A 工作電流低至1.4mA。跳周期模式與工作電流一起擴(kuò)展能實(shí)現(xiàn)較高效率。
? 軟啟動(dòng)
M5573A 在通電時(shí)觸發(fā)一個(gè)4ms 的軟啟動(dòng)來(lái)降低啟動(dòng)時(shí)的應(yīng)力。當(dāng) VDD 達(dá)到 VDD_ON，SEN 尖峰電壓 由 0.15V 逐漸升高增至最大。每次重啟后都會(huì)重新軟啟動(dòng)。
? 頻率抖動(dòng)干擾的改進(jìn)
M5573A 集成了頻率抖動(dòng)（開(kāi)關(guān)頻率調(diào)制）功能進(jìn)行擴(kuò)頻，最大限度地降低了EMI 帶寬，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

? 跳周期模式操作
在輕載或空載狀態(tài)，開(kāi)關(guān)電源的功耗來(lái)源于開(kāi)關(guān) MOSFET 的損耗、變壓器磁心損耗和啟動(dòng)電路損耗，功 率損耗的大小在于開(kāi)關(guān)頻率的比例。較低的開(kāi)關(guān)頻率，能降低功率損耗，從而節(jié)約了能源。
開(kāi)關(guān)頻率在空載或輕載條件下自行調(diào)節(jié)，降低開(kāi)關(guān)頻率在輕載、空載的情況下可以提高轉(zhuǎn)換效率。只有當(dāng) VDD 電壓下降到低于預(yù)先設(shè)定的值且 COMP 電壓處在適當(dāng)狀態(tài)的時(shí)候，DRV 驅(qū)動(dòng)才處于打開(kāi)狀態(tài)，否則， DRV 驅(qū)動(dòng)將處于關(guān)閉狀態(tài)來(lái)最大程度的降低開(kāi)關(guān)損耗和待機(jī)損耗。
開(kāi)關(guān)頻率的控制消除了在任何負(fù)載條件下的噪聲。
? 振蕩器
開(kāi)關(guān)頻率固定在 65kHz ，PCB 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。無(wú)需外部元件的頻率。
? 電流檢測(cè)和前沿消隱
M5573A 是current 模式PWM 控制，提供逐周期電流限制。開(kāi)關(guān)電流是通過(guò)一個(gè)電阻接到SEN 引腳來(lái)檢 測(cè)。內(nèi)部的前沿消隱電路會(huì)屏蔽掉電壓尖峰內(nèi)部功率MOSFET 的初始狀態(tài)，由于緩沖二極管反向恢復(fù)電 流和DRV 功率MOSFET 浪涌電流造成的檢測(cè)電壓尖峰，導(dǎo)致電流限制比較器被屏蔽，無(wú)法關(guān)斷功率 MOSFET。PWM 的占空比是由 SEN 電流檢測(cè)輸入電壓和COMP 輸入電壓計(jì)算確定的。
? 內(nèi)部同步斜坡補(bǔ)償
內(nèi)部斜坡補(bǔ)償電路是將一個(gè)斜坡電壓加入SEN 引腳輸入電壓來(lái)幫忙生成PWM 信號(hào)，它大大提高了在 CCM 下的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止次諧波振蕩，從而降低輸出紋波電壓。

? 驅(qū)動(dòng)
功率MOSFET 是由專(zhuān)用DRV 驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)控制。DRV 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度越弱，功率管的導(dǎo)通損耗和MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗就越大；而DRV 驅(qū)動(dòng)越強(qiáng)，直接影響EMI 性能。
一個(gè)很好的權(quán)衡方法為通過(guò)內(nèi)置的圖騰柱柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)能力和DRV 設(shè)計(jì)合適的死區(qū)時(shí)間來(lái)實(shí) 現(xiàn)控制。通過(guò)這種設(shè)計(jì)很容易達(dá)到良好的電磁系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和降低空載損耗的目的。
? 保護(hù)控制
好的電源系統(tǒng)的可靠性需要有自動(dòng)恢復(fù)特性的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP） 和 VDD 的欠壓保護(hù)）；無(wú)鎖存關(guān)閉功能還包括過(guò)溫保護(hù)（OTP），固定或可調(diào)的VDD 電壓保護(hù)（OVP）。 在全電范圍內(nèi)，OCP 被補(bǔ)償后達(dá)到恒定輸出功率。
在過(guò)載條件下，當(dāng)COMP 輸入電壓超過(guò)TD_PL 功率極限閾值時(shí)，控制電路會(huì)關(guān)閉轉(zhuǎn)換器。只有在輸入電 壓低于閾值功率極限后才重新啟動(dòng)。

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