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  • Vishay新款薄膜條MOS電容器能在保持性能的情況下
    Vishay新款薄膜條MOS電容器能在保持性能的情況下
  • Vishay新款薄膜條MOS電容器能在保持性能的情況下
  •   發(fā)布日期: 2018-09-15  瀏覽次數(shù): 1,366

    Vishay針對高功率混合裝配、SiC和GaN應用中的使用環(huán)境,推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率,工作電壓高達100V,有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸,能夠在不犧牲性能的情況下,實現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計。

    Vishay新款薄膜條MOS電容器能在保持性能的情況下實現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計

    今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF~100pF的電容,以及魯棒的MOS結(jié)構(gòu),適用于LC、RC或LRC濾波,RF扼流,以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應用,BRCP可以采用多引線鍵合,最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。

    條形電容器的TCC低至±50ppm/℃,絕對公差只有±5%。器件具有優(yōu)異的負載壽命穩(wěn)定率,可以在-55℃~+150℃溫度范圍內(nèi)工作。


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