在高頻、大電流整流以及續(xù)流電路中，大量使用了快恢復二極管（FBR）、超快恢復二極管（SRD）和肖特基二極管（SBD）。

　　肖特基二極管利用了肖特基，來對金屬或半導體接觸面上的反向電壓來進行阻擋，從而讓電流進行單向的傳導。與傳統(tǒng)的二極管不同，肖特基與PN結的結構相比，存在很大的差異?？焖倩謴投O管，顧名思義是一種能夠快速恢復反向時間的半導體二極管，本文主要從結構特點、性能參數方面來進行分析對比。

　　簡介

　　肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。

　　快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。

　　超快恢復二極管（簡稱fred）是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復二極管是用電設備高頻化（20khz以上）和高頻設備固態(tài)化發(fā)展不可或缺的重要器件。

　　快恢復、超快恢復二極管的結構特點

　　快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P 型、N 型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。

　　20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內部包含兩只快恢復二極管，根據兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

　　性能、參數比較

　　下表列出了肖特基二極管和超快恢復二極管、快速恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

　　反向恢復時間

　　什么是反向恢復時間？當外加二極管的電壓瞬間從正向轉到反向時，流經器件的電流并不能相應地瞬間從正向電流轉換為反向電流。此時，正向注入的少數載流子（空穴）被空間電荷區(qū)的強電場抽取，由于這些空穴的密度高于基區(qū)平衡空穴密度，因而在反向偏置瞬間，將產生一個遠大于反向漏電流的反向電流，即反向恢復電流IRM。與此同時，符合過程的強化也在加速這些額外載流子密度的下降，直到基區(qū)中積累的額外載流子的完全消失，反向電流才下降并穩(wěn)定到反向漏電流。整個過程所經歷的時間為反向恢復時間。

　　反向恢復時間trr的定義是：電流通過零點由正向轉換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術指標。

　　區(qū)分肖特基二極管與快恢復二極管

　　1、結構原理不同，肖特基二極管是貴重金屬和n型半導體結合成，快恢復二極管是普通pn結加了個薄基區(qū)。

　　2、快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，稱肖特基二極管（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。

　　3、肖特基二極管反向擊穿電壓大多不高于60V，最高僅約100V，限制其使用，快恢復二極管反向峰值可以到幾百到幾千伏，因此像在開關電源變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管等只有使用快速恢復（UFRD）。

　　4、肖特基正向導通壓降僅0.4V左，快回復二級館0.6伏， 總的來說，由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。快恢復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。