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摩爾定律雖命名為“定律”，但究其本質(zhì)更像是一條預(yù)言，一條在過去的50年間始終引導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的偉大預(yù)言。但是，現(xiàn)階段摩爾定律下工藝的無限制成長終會遭遇一道名為“物理極限”的壁壘，如何繞過壁壘以延續(xù)乃至超越摩爾定律成為了現(xiàn)如今業(yè)界的重要命題。
如果說系統(tǒng)級芯片（SystemonChip，英文簡稱SoC）技術(shù)是摩爾定律不斷發(fā)展所產(chǎn)生的重要產(chǎn)物，那么系統(tǒng)級封裝（SysteminPackage，英文簡稱SiP）技術(shù)便是實(shí)現(xiàn)超越摩爾定律的關(guān)鍵路徑。在“后摩爾定律”所提供的關(guān)鍵助力之下，SiP生態(tài)系統(tǒng)正持續(xù)創(chuàng)新以緩解因晶體管尺寸日趨物理極限所產(chǎn)生的壓力。
（圖片來源：TSMC）
隨著5G通信及機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)應(yīng)用的快速普及，系統(tǒng)級封裝SiP技術(shù)在短短的時間內(nèi)便已經(jīng)成為實(shí)現(xiàn)微系統(tǒng)功能多樣化、集成異構(gòu)化、體積及成本最小化的最優(yōu)方案。
（圖片來源：長電科技）
對于SiP技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)，除了業(yè)內(nèi)人士非常熟悉的半導(dǎo)體材料和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）軟件之外，IC基板技術(shù)及與之關(guān)聯(lián)的供應(yīng)鏈同樣是SiP生態(tài)系統(tǒng)的重要一環(huán)。上圖所示為當(dāng)前半導(dǎo)體封測行業(yè)中常見的基板技術(shù)及其趨勢。
目前從技術(shù)發(fā)展的趨勢來看，雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)可以并稱為拉動系統(tǒng)級封裝技術(shù)發(fā)展的“三駕創(chuàng)新馬車”。
雙面塑模成型技術(shù)（Double-SidedMoldingTechnology）之所以成為系統(tǒng)級封裝工程專家的新寵，主要有兩個原因：
（一）有效減少封裝體積以節(jié)省空間。
（二）有效縮短多個裸芯（BareDies）及被動元件之間的連接線路以降低系統(tǒng)阻抗、提升整體電氣性能。
更小的封裝體積和更強(qiáng)的電氣性能為雙面塑模成型技術(shù)在SiP領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景提供了良好的基礎(chǔ)。下圖所示為一例由長電科技成功導(dǎo)入規(guī)模量產(chǎn)的雙面塑模成型SiP射頻前端模塊產(chǎn)品。
（圖片來源：長電科技）
長電科技的雙面封裝SiP產(chǎn)品采用了多項(xiàng)先進(jìn)工藝以確保雙面塑模成型技術(shù)的成功應(yīng)用。該產(chǎn)品采用了C-mold工藝，實(shí)現(xiàn)了芯片底部空間的完整填充，并有效減少了封裝后的殘留應(yīng)力，保證了封裝的可靠性。
同時Grinding工藝的應(yīng)用，使封裝厚度有了較大范圍的選擇，同步實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制產(chǎn)品的厚度公差。為了去除流程中殘留的多余塑封料，長電科技還采用了LaserablaTIon工藝，以確保產(chǎn)品擁有更好的可焊性。
這項(xiàng)技術(shù)看似稀松平常，實(shí)則機(jī)關(guān)暗藏，每一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)的成功落地都要經(jīng)歷許多挑戰(zhàn)。雙面塑模成型（Double-SidedMoldingTechnology）技術(shù)的落地主要面臨著以下三大挑戰(zhàn)：（一）塑模成型過程中的翹曲問題。
（二）背面精磨（BackGrinding）過程中的管控風(fēng)險。
（三）激光灼刻（LaserAblaTIng）及錫球成型（SolderBallMaking）中的管控風(fēng)險。
面對全新工藝所帶來的諸多挑戰(zhàn)，長電科技選擇直面困難，攻克一系列技術(shù)難題，并成功于2020年4月通過全球行業(yè)領(lǐng)先客戶的認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)了雙面封裝SiP產(chǎn)品的量產(chǎn)。
在這項(xiàng)全新突破的工藝中，長電科技嚴(yán)格把控生產(chǎn)流程，采用高度自動化的先進(jìn)制程，將在雙面塑模成型過程可能發(fā)生的各類風(fēng)險隱患進(jìn)行了有效降低。
由于系統(tǒng)級封裝本身制程中大量使用高密度線路、多種材質(zhì)的封裝材料，同時還要考慮芯片與各類功能器件間的協(xié)作，且封裝結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，因此伴隨而來的便會有電路元件間產(chǎn)生的電磁干擾問題。長電科技有效的通過創(chuàng)新解決了這一問題，并擁有一系列導(dǎo)入量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽技術(shù)方案。
下圖所示為一例由長電科技成功導(dǎo)入規(guī)模量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽SiP射頻前端模塊產(chǎn)品。
（圖片來源：長電科技）
在電磁干擾屏蔽材料（EMIShieldingMaterials）方面，一場技術(shù)創(chuàng)新的盛宴正在全球上演。無論是傳統(tǒng)材料巨頭，還是新晉EMI屏蔽材料先鋒，都爭相推出質(zhì)量更可靠、效果更全面、價格更實(shí)惠的全新產(chǎn)品及流程方案。
對于絕大多數(shù)倒裝型（FlipChip）系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品來說，單芯（PerDie）的平均功率范圍一般在1W到15W之間，因此在地散熱能力（LocalThermalConducTIvity）是檢驗(yàn)SiP系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵一環(huán)。
目前可用來提升散熱性能的技術(shù)方案有以下幾種：芯片背面外露技術(shù)、高導(dǎo)熱塑封材料技術(shù)、芯片背面金屬板裝技術(shù)（例如HeatSink）、基板金屬內(nèi)層加厚技術(shù)以及芯片背面金屬化技術(shù)（BacksideMetallizaTIonTechnology）。
長電科技的工程驗(yàn)證結(jié)果表明，與其他方案相比，芯片背面金屬化技術(shù)更適用于加強(qiáng)低、中功率范圍的倒裝型結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性，同等成本條件下，散熱效果的裕值可達(dá)到25%，可謂立竿見影。而電磁干擾屏蔽材料的背面金屬化技術(shù)同樣可以用于芯片背面金屬化。
如下圖所示，長電科技已獲得該技術(shù)方案的數(shù)項(xiàng)發(fā)明專利。
（圖片來源：長電科技）
從材料到工藝，從技術(shù)到方案，長電科技對于創(chuàng)新的不斷追求促成了其在電磁干擾屏蔽技術(shù)領(lǐng)域強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與全面的產(chǎn)品覆蓋。系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)作為目前火熱的封裝技術(shù)領(lǐng)域，在長電科技強(qiáng)大EMI技術(shù)的加持之下，能夠有效地完成對潛在電磁干擾的屏蔽，滿足全球市場需求。
鍵合（Bonding）可以將兩個或多個材料（或結(jié)構(gòu)）結(jié)合成為一體，是半導(dǎo)體制造過程中不可缺少的重要環(huán)節(jié)?？v觀近年高端系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品（尤其是手機(jī)射頻前端模塊）的發(fā)展趨勢，不難發(fā)現(xiàn)，芯片/基板鍵合（Die-to-SubstrateBonding）技術(shù)及其制程創(chuàng)新可謂是居功至偉。
一路走來，從常青樹般的回流焊接（MassReflow）技術(shù)，到數(shù)年前異軍突起的熱壓鍵合（ThermalCompressionBonding）技術(shù)，再到最近才開始發(fā)力的激光輔助鍵合（LAB）技術(shù)，先進(jìn)封測企業(yè)與設(shè)備方案廠商通力合作，緊跟鍵合技術(shù)潮流，可謂“亦步亦趨，不敢相背”?？梢哉f，越是在先進(jìn)制程中，我們就越需要超精密的鍵合技術(shù)服務(wù)。
下圖所示為激光輔助鍵合（LAB）和回流焊接（MassReflow）技術(shù)之間做的一個簡單比較。
（圖片來源：長電科技）
從圖中我們不難看出，回流焊接MR技術(shù)容易受到多種限制，包括由于板材變形所引發(fā)的Non-wetbump、橋接與ELK層裂紋等引發(fā)的封裝可靠性問題、模具和基板同時加熱時間過長的問題以及老生常談的CTE不匹配、高翹曲、高熱機(jī)械應(yīng)力等問題。而借助激光輔助粘合（LAB）技術(shù)，我們便可以輕松解決上述限制。LAB技術(shù)借助紅外（IR）激光源光束均化器，能夠?qū)崿F(xiàn)高升溫速度下的局部加熱。
從系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)出發(fā)，本文介紹了三駕創(chuàng)新馬車雙面塑模成型技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)與激光輔助鍵合技術(shù)在SiP領(lǐng)域的優(yōu)勢。作為全球知名的集成電路封裝測試企業(yè)，長電科技在系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)領(lǐng)域也為行業(yè)帶來了更多創(chuàng)新成果。
通過近幾年對封裝技術(shù)的不斷探索，長電科技已經(jīng)成功將芯片背面金屬化技術(shù)、電磁干擾屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合技術(shù)巧妙地整合進(jìn)了同一套SiP制程里，并通過了量產(chǎn)級別的驗(yàn)證，在散熱性能、EMI性能、精密鍵合性能、制程的穩(wěn)定性以及整體封裝成本等多個指標(biāo)之間找到并確定了“完美平衡點(diǎn)”。
